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| 品牌 | 冠亚恒温 | 价格区间 | 10万-20万 |
|---|---|---|---|
| 产地类别 | 国产 | 应用领域 | 化工,生物产业,石油,制药/生物制药,综合 |
无锡冠亚冷热一体机典型应用于：
高压反应釜冷热源动态恒温控制、双层玻璃反应釜冷热源动态恒温控制、
双层反应釜冷热源动态恒温控制、微通道反应器冷热源恒温控制；
小型恒温控制系统、蒸饱系统控温、材料低温高温老化测试、
组合化学冷源热源恒温控制、半导体设备冷却加热、真空室制冷加热恒温控制
型号 | SUNDI-125 SUNDI-125W | SUNDI-135 SUNDI-135W | SUNDI-155 SUNDI-155W | SUNDI-175 SUNDI-175W | SUNDI-1A10 SUNDI-1A10W | SUNDI-1A15 SUNDI-1A15W | |||||||
介质温度范围 | -10℃～+200℃ | ||||||||||||
控制系统 | 前馈PID ,无模型自建树算法，PLC控制器 | ||||||||||||
温控模式选择 | 物料温度控制与设备出口温度控制模式 可自由选择 | ||||||||||||
温差控制 | 设备出口温度与反应物料温度的温差可控制、可设定 | ||||||||||||
程序编辑 | 可编制5条程序，每条程序可编制40段步骤 | ||||||||||||
通信协议 | MODBUS RTU 协议 RS 485接口 | ||||||||||||
外接入温度反馈 | 笔罢100或4～20尘础或通信给定（默认笔罢100) | ||||||||||||
温度反馈 | 设备导热介质 温度、出口温度、反应器物料温度（外接温度传感器）三点温度 | ||||||||||||
导热介质温控精度 | &辫濒耻蝉尘苍;0.5℃ | ||||||||||||
反应物料温控精度 | &辫濒耻蝉尘苍;1℃ | ||||||||||||
加热功率 kW | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
制冷量 kW | 200℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | ||||||
20℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
-5℃ | 1.5 | 2.1 | 3.3 | 4.2 | 6 | 9 | |||||||
流量压力 max L/min bar | 20 | 35 | 35 | 50 | 50 | 75 | |||||||
2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2.5 | ||||||||
压缩机 | 海立 | 艾默生谷轮/丹佛斯涡旋压缩机 | |||||||||||
膨胀阀 | 丹佛斯/艾默生热力膨胀阀 | ||||||||||||
蒸发器 | 丹佛斯/高力板式换热器 | ||||||||||||
操作面板 | 7英寸彩色触摸屏，温度曲线显示、记录 | ||||||||||||
安全防护 | 具有自我诊断功能；冷冻机过载保护；高压压力开关，过载继电器、热保护装置等多种安全保障功能。 | ||||||||||||
密闭循环系统 | 整个系统为全密闭系统，高温时不会有油雾、低温不吸收空气中水份，系统在运行中不会因为高温使压力上升，低温自动补充导热介质。 | ||||||||||||
制冷剂 | R-404A/R507C | ||||||||||||
接口尺寸 | G1/2 | G3/4 | G3/4 | G1 | G1 | G1 | |||||||
水冷型 W 温度 20度 | 600L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 800L/H 1.5bar~4bar G1/2 | 1000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1200L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1600L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 2000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | |||||||
外型尺寸(水）肠尘 | 45*65*120 | 50*85*130 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | |||||||
外形尺寸 (风）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | 70*100*175 | |||||||
隔爆尺寸(风) cm | 45*110*130 | 45*110*130 | 45*110*130 | 55*120*170 | 55*120*170 | 55*120*170 | |||||||
正压防爆(水）肠尘 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 120*110*195 | |||||||
常规重量办驳 | 115 | 165 | 185 | 235 | 280 | 300 | |||||||
电源 380V 50HZ | AC 220V 50HZ 3.6kW | 5.6kW | 7.5kW | 10kW | 13kW | 20kW | |||||||
选配风冷尺寸肠尘 | / | 50*68*145 | 50*68*145 | 50*68*145 | / | / | |||||||
70℃高低温循环一体机-制冷加热温控系统
70℃高低温循环一体机-制冷加热温控系统
在半导体工艺设备运行过程中，晶圆制造、芯片封装测试等环节对温度环境的要求较为严苛，不同工艺阶段需准确维持特定温区，且温区间需实现平稳切换。动态控温系统作为管理多段温区的核心技术方案，通过温度检测、算法调控与执行机构联动，可同时满足半导体工艺设备中多个单独温区的准确控制需求，避免温区干扰或温度波动对半导体器件性能造成影响。
一、半导体工艺设备多段温区的划分与检测方法
半导体工艺设备的多段温区划分需结合工艺流程与设备结构，确保每个温区对应特定工艺需求，同时通过准确检测捕捉各温区温度变化。在晶圆处理设备中，可根据功能模块划分温区，温区划分需避免相邻区域热量过度传导，通过设置隔热层或单独气流通道，减少温区间的热干扰，确保各温区温度互不干扰。
温度检测是多段温区管理的基础，需针对不同温区特性配置适配的检测元件与布局方案。对于高精度温区，采用高灵敏度温度传感器，均匀布置于温区关键位置，实时采集多点温度数据，通过数据结合技术计算温区平均温度与局部偏差；对于宽温度范围温区，选择宽量程检测元件，确保在温度剧烈变化时仍能保持检测稳定性。此外，定期对检测元件进行校准，确保各温区检测值与实际温度的偏差控制在工艺允许范围内。
二、动态控温系统的多温区协同控制方法
半导体工艺设备的多段温区常存在连接关系，温度调整可能影响相邻温区，动态控温系统需通过协同控制算法与执行机构联动，实现多温区准确调控。在控制算法方面，采用多变量控制策略，将各温区温度作为单独控制变量，同时考虑温区间的连接效应，建立关联控制模型。对于需同步调整的多温区，采用同步控制算法，确保各温区按照预设速率同时升降温，避免因温区调整不同步导致器件应力集中。
执行机构的协同调度是实现多温区控制的关键，动态控温系统需根据各温区的热负荷需求，合理分配加热、制冷与介质循环。在加热调控上，采用分区加热方式，将加热器划分为多个单元，针对不同温区的升温需求，避免局部过热；在制冷调控上，通过调节电子膨胀阀开度、压缩机运行参数，准确控制各温区的制冷量，尤其在高温向低温切换的温区，需动态调整制冷速率，防止温度骤降对器件造成损伤。
